參數(shù)資料
型號(hào)： PMZ760SN
英文描述： uTrenchMOS (tm) standard level FET
中文描述： uTrenchMOS（TM）的標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： PMZ760SN
PMZ760SN
μ
TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 24 February 2003
Objective data
M3D883
BOTTOM VIEW
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PMZ760SN in SOT883.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Profile 55% lower than SOT23
I
Low on-state resistance
I
Footprint 90% smaller than SOT23
I
Fast switching.
I
Driver circuits
I
Switching in portable appliances.
I
V
DS
≤
60 V
I
P
tot
≤
<tbd> W
I
I
D
≤
<tbd> A
I
R
DSon
≤
900 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
Pinning - SOT883, simplified outline and symbol
Description
gate (g)
source (s)
drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT883
2
1
3
bottom view
MGX357
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
PN101 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40&deg; to +125&deg;C
PN10183EJ01V0PF 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40&deg; to +125&deg;C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMZ760SN T/R 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMZ760SN,315 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMZ760SN315 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 1.22A SOT883
PMZ950UPELYL 功能描述:20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PMZ950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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