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參數(shù)資料
| 型號： | PIC12F676 |
| 廠商： | Microchip Technology Inc. |
| 英文描述： | 8-Pin, 8-Bit CMOS Enhanced FLASH Microcontroller with A/D Converter and EEPROM Data Memory(-2.5~5.5V,具ADC,閃速微控制器) |
| 中文描述： | 8引腳，8位閃存微控制器的CMOS增強(qiáng)與A / D轉(zhuǎn)換器和EEPROM數(shù)據(jù)存儲器（-2.5?5.5V的，具藝術(shù)發(fā)展局，閃速微控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 129/170頁 |
| 文件大?。?/td> | 4191K |
| 代理商： | PIC12F676 |
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2003 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS40300C-page 127
PIC16F62X
17.0
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Absolute Maximum Ratings
Ambient temperature under bias.................................................................................................................-40 to +125°C
Storage temperature .............................................................................................................................. -65°C to +150°C
Voltage on V
DD
with respect to V
SS
............................................................................................................ -0.3 to +6.5V
Voltage on MCLR and RA4 with respect to V
SS
............................................................................................-0.3 to +14V
Voltage on all other pins with respect to V
SS
....................................................................................-0.3V to V
DD
+ 0.3V
Total power dissipation
(1)
.....................................................................................................................................800 mW
Maximum current out of V
SS
pin ...........................................................................................................................300 mA
Maximum current into V
DD
pin..............................................................................................................................250 mA
Input clamp current, I
IK
(V
I
< 0 or V
I
> V
DD
)
.....................................................................................................................±
20 mA
Output clamp current, I
OK
(Vo < 0 or Vo >V
DD
)
...............................................................................................................±
20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin..........................................................................................................25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin ....................................................................................................25 mA
Maximum current sunk by
PORTA and PORTB....................................................................................................200 mA
Maximum current sourced by PORTA and PORTB ..............................................................................................200 mA
Note 1:
Power dissipation is calculated as follows: P
DIS
= V
DD
x {I
DD
-
∑
I
OH
} +
∑
{(V
DD
-V
OH
) x I
OH
} +
∑
(V
O
l x I
OL
)
NOTICE
: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Note:
Voltage spikes below V
SS
at the MCLR pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latchup. Thus,
a series resistor of 50-100
should be used when applying a “l(fā)ow” level to the MCLR pin rather than pulling
this pin directly to V
SS
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