參數(shù)資料
型號(hào)： PHX45NQ11T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 30.4 A, 110 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 93K
代理商： PHX45NQ11T
Philips Semiconductors
PHX45NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 17 May 2004
6 of 12
9397 750 13181
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ao82
0
10
20
30
40
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
4.6 V
Tj = 25
°
C
VGS = 10 V
4.8 V
8 V
4.4 V
4.2 V
5 V
6 V
03ao84
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 25
°
C
175
°
C
03ao83
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0
5
10
15
20
ID (A)
RDSon
(
)
VGS = 4.8 V
Tj = 25
°
C
6 V
8 V
4.2 V
10 V
5 V
4.4 V
4.6 V
03aa29
0
1
2
3
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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