參數(shù)資料
型號： PHX45NQ11T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 30.4 A, 110 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： PHX45NQ11T
Philips Semiconductors
PHX45NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 17 May 2004
3 of 12
9397 750 13181
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of heatsink temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of heatsink temperature.
T
h
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa13
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
h
(
°
C)
P
der
(%)
03aa21
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
h
(
°
C)
I
der
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03ao79
10
-1
1
10
10
2
10
3
1
10
10
2
10
3
VDS (V)
ID
(A)
DC
100
μ
s
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
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PDF描述
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參數(shù)描述
PHX45NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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