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參數(shù)資料
| 型號： | PHX45NQ11T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 30.4 A, 110 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | PHX45NQ11T |
Philips Semiconductors
PHX45NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 17 May 2004
10 of 12
9397 750 13181
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
9.
Revision history
Table 7:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20040517
Description
Product data (9397 750 13181)
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHX4N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX4N50E | PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E |
| PHX4N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX4ND40E | PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
| PHX8NQ11T | N-channel TrenchMOS-TM standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHX45NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHX4N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX4N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E |
| PHX4N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHX4ND40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
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