參數(shù)資料
型號(hào)： PHX8NQ11T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
中文描述： 7.5 A, 110 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 84K
代理商： PHX8NQ11T
PHX8NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 14 May 2004
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulated
plastic package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Low on-state resistance
I
Isolated package.
I
DC-to-DC converters
I
Switched-mode power supplies.
I
V
DS
≤
110 V
I
P
tot
≤
27.7 W
I
I
D
≤
7.5 A
I
R
DSon
≤
180 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT186A (TO-220F) simplified outline and symbol
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
isolated
Symbol
SOT186A (TO-220F)
MBK110
1
mb
2 3
s
d
g
mbb076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PHX9NQ20T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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