參數(shù)資料
型號(hào)： PHT8N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： PHT8N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT8N06T
Dimensions in mm.
Fig.19. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
December 1997
8
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHT8N06 TrenchMOS transistor Standard level FET
PHU11NQ10T TrenchMOS⑩ standard level FET
PHV612 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C
PHV616 High Voltage Rectifier
PHV620 Synchronous Regulator Controller for N- or P-Channel MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHT8N06TT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SOT-223
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PHT-V35-XTR/M 制造商:Pan Pacific 功能描述:
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PHU101NQ03LT,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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