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參數(shù)資料
| 型號： | PHT8N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | PHT8N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT8N06T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.18. soldering pattern for surface mounting SOT223.
PRINTED CIRCUIT BOARD
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
December 1997
7
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT8N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHU11NQ10T | TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHV612 | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PHV616 | High Voltage Rectifier |
| PHV620 | Synchronous Regulator Controller for N- or P-Channel MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT8N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SOT-223 |
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| PHT-V35-XTR/M | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| PHU101NQ03LT | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHU101NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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