參數(shù)資料
型號： PHT1N60R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 0.46 A, 600 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 30K
代理商： PHT1N60R
Philips Semiconductors
Objective specification
PowerMOS transistor
PHT1N60R
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.3. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent dam-
age to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
February 1998
4
Rev 1.000
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