參數(shù)資料
型號： PHT1N60R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 0.46 A, 600 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： PHT1N60R
Philips Semiconductors
Objective specification
PowerMOS transistor
PHT1N60R
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.1. soldering pattern for surface mounting SOT223.
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.2. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
February 1998
3
Rev 1.000
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PDF描述
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