參數(shù)資料
型號(hào)： PHT1N52S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 0.6 A, 520 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 27K
代理商： PHT1N52S
Philips Semiconductors
Objective specification
PowerMOS transistor
PHT1N52S
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.3. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent dam-
age to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
February 1998
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHF14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHX20N06T N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHX4N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHT1N52U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 520V V(BR)DSS | 800MA I(D) | SOT-223
PHT1N60R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
PHT1N60S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 590MA I(D) | SOT-223
PHT1N60T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 650MA I(D) | SOT-223
PHT2010E10R0BGT 制造商:Vishay Sfernice 功能描述:RESISTOR THIN FILM 10OHM 100mW 0.1% 制造商:Vishay Sfernice 功能描述:RESISTOR, THIN FILM, 10OHM, 100mW, 0.1% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:RESISTOR, THIN FILM, 10 OHM, 100mW, 0.1%, Product Range:VISHAY - PHT Series, Res
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*