參數(shù)資料
型號(hào): PHP11N50E
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述: 10.4 A, 500 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù): 4/7頁(yè)
文件大小: 41K
代理商: PHP11N50E
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.1. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
January 1998
4
Rev 1.000
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PDF描述
PHP12N10E KPT 8C 8#16 PIN RECP
PHP12N50E Microprocessor Supervisory Circuit
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PHB160NQ08T CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
PHP1N50E PowerMOS transistor
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PHP12-3,50 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍: