參數(shù)資料
型號： PHB160NQ08T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： 75 A, 75 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHB160NQ08T
PHP/PHB160NQ08T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 28 January 2004
Product data
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
I
Standard level threshold
I
Very low on-state resistance.
I
Motors, lamps, solenoids
I
DC-to-DC converters
I
Uninterruptable power supplies
I
General industrial applications.
I
V
DS
≤
75 V
I
P
tot
≤
300 W
I
I
D
≤
75 A
I
R
DSon
≤
5.6 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 (TO-220AB) and SOT404 (D
2
-PAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
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