參數(shù)資料
型號： PHB160NQ08T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： 75 A, 75 V, 0.0056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： PHB160NQ08T
Philips Semiconductors
PHP/PHB160NQ08T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2004
4 of 13
9397 750 12719
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
5.
Thermal characteristics
5.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT78
SOT404
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
0.5
Unit
K/W
vertical in still air
mounted on a printed-circuit
board; minimum footprint.
-
-
60
50
-
-
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ap66
10-2
10-1
1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP1N50E PowerMOS transistor
PHP3N60 Micropower Low Dropout References; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP5N40 PowerMOS transistor
PHP6N28T Micropower Low Dropout References; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHPL6N28T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-221
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB160NQ08T /T3 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB160NQ08T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB1635-5R0176-1 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:CAP,17F,5V, ACTIVE BALANCE, VERT - Tape and Reel 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:CAP,17F,5V, ACTIVE BALANCE, VERT
PHB174NQ04LT /T3 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB174NQ04LT,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*