參數(shù)資料
型號(hào)： PHD83N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 72 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： PHD83N03LT
Philips Semiconductors
PHD83N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 16 July 2001
9 of 13
9397 750 08217
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 14. SOT428 (D-PAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT428
TO-252
SC-63
98-04-07
99-09-13
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
D1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
E1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
max.
b
D1
max.
E
max.
HE
max.
w
y
max.
A2
b2
b1
max.
c
E1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
max.
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.89
0.71
0.89
0.71
1.1
0.9
5.36
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.7
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
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