參數(shù)資料
型號(hào)： PHD78NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： PHD78NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 14 November 2001
3 of 14
9397 750 08916
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
P
der
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03aaa175
1
10
102
10
3
1
10
10
2
I
D
(A)
DC
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
VDS (V)
RDSon = VDS / ID
10 ms
100 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB95N03LTA 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHB95NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD12N10E PowerMOS transistor
PHD16N03T TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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PHD82NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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