參數(shù)資料
型號： PHD2N50E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-428, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： PHD2N50E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.20. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.21. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
December 1998
8
Rev 1.200
相關PDF資料
PDF描述
PHB2N50 PowerMOS transistor
PHB3055E TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-404
PHB30NQ15T CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
PHB64N03LT RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PHB78NQ03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHD2N60E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK
PHD3055E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHD3055E,118 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD3055L 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET
PHD32UAA 制造商:POWER-ONE 制造商全稱:Power-One 功能描述:PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
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