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PHD2N60E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
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  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 2006

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3555

  • PHILIPS

  • SOT428

  • 201320+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存。400-800-03...

  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • PHI

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • PHILIPS

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 深圳市榮澤信電子科技有限公司
    深圳市榮澤信電子科技有限公司

    聯(lián)系人：榮澤信－晏S

    電話：18028731859

    地址：華富村東區(qū)417室

  • 10000

  • PHI

  • TO-252

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 32252

  • NXP/恩智浦

  • TO-252

  • 23+

  • -

  • 終端免費(fèi)提樣，可開(kāi)票

  • PHD2N60E
    PHD2N60E

    PHD2N60E

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 20000

  • PHILIPS

  • TO-252

  • 08+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共32條 
  • 1
PHD2N60E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N D-PAK
PHD2N60E 技術(shù)參數(shù)
  • PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:66A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN PHD3899920FH48PN PHD3899924WC8PN PHD3899926FB4PN PHD3899926WC8PA PHD3899926WC8PN PHD38N02LT,118 PHD45N03LTA,118 PHD45NQ15T,118 PHD55N03LTA,118 PHD63NQ03LT,118 PHD66NQ03LT,118 PHD71NQ03LT,118 PHD77NQ03T,118 PHD78NQ03LT,118
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