參數(shù)資料
型號： PHB73N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 73 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： PHB73N06T
Philips Semiconductors
PHP73N06T; PHB73N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 12 March 2001
7 of 14
9397 750 08107
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C
Fig 11. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 12. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
0
1
2
3
4
5
0
40
80
120
160
Tj (oC)
200
-40
-80
max.
typ
min
VGS(th)
(V)
003aaa077
2%
typ
98%
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
0
1
2
3
4
5
ID
(A)
VGS(V)
003aaa078
0
20
40
60
80
100
30
25
20
15
10
5
0
(S)
gfs
ID (A)
003aaa089
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
Ciss
Coss
Crss
Ciss,
Coss,
Crss
(pF)
VDS (V)
10
102
1
10-1
10-2
003aaa090
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PDF描述
PHP75NQ08T N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
PHP7N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
PHB73N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB78NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
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PHB78NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHB7N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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