參數(shù)資料
型號： PHP75NQ08T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
中文描述： 75 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： PHP75NQ08T
1.
Product profile
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
PHP75NQ08T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 13 April 2005
Product data sheet
I
Standard level threshold
I
Very low on-state resistance
I
Motors, lamps and solenoids
I
DC-to-DC converters
I
Uninterruptible power supplies
I
General industrial applications
I
V
DS
≤
75 V
I
R
DSon
≤
13 m
I
I
D
≤
75 A
I
Q
gd
= 15 nC (typ)
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning
Description
gate
drain
source
mounting base; connected to drain
Simplified outline
Symbol
SOT78 (3-lead TO-220AB)
1 2
mb
3
S
D
G
mbb076
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PDF描述
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參數(shù)描述
PHP75NQ08T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP78NQ03LT 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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PHP79NQ08LT,127 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 75V 73A 3-Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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