參數(shù)資料
型號： PHP75NQ08T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
中文描述： 75 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： PHP75NQ08T
9397 750 14735
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 13 April 2005
6 of 12
Philips Semiconductors
PHP75NQ08T
N-channel TrenchMOS standard level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
T
j
= 25
°
C
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
> I
D
×
R
DSon
Fig 7.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aaa912
0
40
80
120
160
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
I
D
(A)
T
j
= 25
°
C
V
GS
(V) =
4.5
6
6.5
10
8
9
7
5.5
5
003aaa913
8
0
10
20
30
0
40
80
120
160
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
T
j
= 25
°
C
V
GS
(V) =
7
6
10
003aaa914
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 175
°
C
25
°
C
003aaa918
0
0.8
1.6
2.4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
------------------------------
=
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