- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367942 > PHB73N06T (NXP SEMICONDUCTORS) N-channel enhancement mode field-effect transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB73N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 73 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | PHB73N06T |
Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior
written consent of the copyright owner.
The information presented in this document does not form part of any quotation or
contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No
liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication
thereof does not convey nor imply any license under patent- or other industrial or
intellectual property rights.
Date of release: 12 March 2001
Document order number: 9397 750 08107
Contents
Philips Semiconductors
PHP73N06T; PHB73N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
1
2
3
4
5
6
7
7.1
8
9
10
11
12
13
Description
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Disclaimers
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP75NQ08T | N-channel TrenchMOS-TM standard level FET |
| PHP7N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB7N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP7N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW7N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB73N06T,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB78NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB78NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB78NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| PHB7N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。