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參數(shù)資料
| 型號： | PHB6N60E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 5.4 A, 600 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | PHB6N60E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP6N60E, PHB6N60E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.19. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
December 1998
7
Rev 1.300
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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