參數(shù)資料
型號： PHB222NQ04LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOSTM logic level FET
中文描述： 75 A, 40 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大小： 93K
代理商： PHB222NQ04LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB222NQ04LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 May 2004
11 of 13
9397 750 13156
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20040513
Description
Product data (9397 750 13156)
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP222NQ04LT N-channel TrenchMOSTM logic level FET
PHB2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHD2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB2N50 PowerMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB222NQ04LT,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB225NQ04T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB225NQ04T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB23NQ10LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB23NQ10T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
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