參數(shù)資料
型號： PHB110NQ08LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 75 V, 0.00995 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHB110NQ08LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB110NQ08LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 29 March 2004
8 of 13
9397 750 12924
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and
175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 14 V and 60 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ap62
0
25
50
75
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
VGS = 0 V
03ap64
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 60 V
14 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PHB110NQ08T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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