參數(shù)資料
型號: PHB110NQ08LT
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述: 75 A, 75 V, 0.00995 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù): 11/13頁
文件大?。?/td> 91K
代理商: PHB110NQ08LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB110NQ08LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 29 March 2004
11 of 13
9397 750 12924
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20040329
Description
Product data (9397 750 12924)
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
PHB110NQ08LT,118 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB110NQ08T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS? standard level FET
PHB110NQ08T /T3 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB110NQ08T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB112N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor