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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB10N40 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22 |
| 中文描述： | 10.7 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | PHB10N40 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHB10N40
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.19. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.20. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
April 1997
6
Rev 1.000
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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