- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369994 > PF08107B PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PF08107B |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | PF08107B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 8 of 44
Vapc vs Efficiency – Vdd Dependence
E
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vapc (V)
880 MHz Efficiency vs. Vapc
E
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vapc (V)
915 MHz Efficiency vs. Vapc
Po = 35 dBm,
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
Po = 35 dBm,
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08107BP | |
| PF08109B-TB | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| PF08114B | |
| PF08122B | |
| PF08123B | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08107BP | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述: |
| PF08109B | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。