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參數(shù)資料
| 型號： | PF08107B |
| 文件頁數(shù)： | 26/44頁 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | PF08107B |
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PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 26 of 44
Vapc vs Efficiency – Temperature Dependence
E
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vapc (V)
1710 MHz Efficiency vs. Vapc
E
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vapc (V)
1785 MHz Efficiency vs. Vapc
Po = 32 dBm,
Vdd = 3.5 V,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
20
°
C
25
°
C
75
°
C
Po = 32 dBm,
Vdd = 3.5 V,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
20
°
C
25
°
C
75
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08107BP | |
| PF08109B-TB | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PF08107BP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08109B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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