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參數(shù)資料
| 型號： | PF08107B |
| 文件頁數(shù)： | 4/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | PF08107B |
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PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 4 of 44
Electrical Characteristics for E-GSM mode
(cont)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Slope Pout/Vapc
200
dB/V
Pout
GSM
= 5 to 35 dBm
Phase shift
20
deg
Pout
GSM
= 33.5 to 34.5 dBm
Total conversion gain1
5
dB
f
0
= 915 MHz,
Other sig. = 895 MHz (
40 dBm)
Pout
GSM
= 33.5 dBm
Total conversion gain2
5
dB
f
0
= 915 MHz,
Other sig. = 905 MHz (
40 dBm)
Pout
GSM
= 33.5 dBm
AM output
40
%
Pout
GSM
= +5 dBm,
4%AM modulation at input
50 kHz modulation frequency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08107BP | |
| PF08109B-TB | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| PF08114B | |
| PF08122B | |
| PF08123B | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08107BP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08109B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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