參數(shù)資料
型號(hào)： PF08107B
文件頁數(shù)： 37/44頁
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代理商： PF08107B
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 37 of 44
Frequency vs Pout, Efficiency – Vdd Dependence
E
30
1710
30.5
31
31.5
32
32.5
33
33.5
34
1730
1750
1770
1720
1740
Frequency (MHz)
1760
1780 1790
P
1710
1730
1750
1770
1720
1740
Frequency (MHz)
1760
1780 1790
DCS Pout vs. Frequency
Vapc = 2.2 V,
Vdd = 3.5 V,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
DCS Efficiency vs. Frequency
Vapc = 2.2 V,
Vdd = 3.5 V,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
30
35
40
45
50
55
60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF08107BP
PF08109B-TB RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PF08114B
PF08122B
PF08123B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PF08107BP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
PF08109B 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
PF08109B-TB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PF08114B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
PF08122B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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