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參數(shù)資料
| 型號： | PF08103A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM900和DCS1800和雙頻手持電話 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | PF08103A |
PF08103A
3
Internal Diagram and External Circuit
Pin
Pout
DCS
C3
C1
Pout
GSM
Bias circuit
8
3
5
4
7
2
1
V
CTL
V
CTL
Vapc
Vdd2
Vdd1
V
CTL
V
CTL
Vapc
Vdd2
Vdd1
6
Pin
Note: C1 = C2 = 4.7
μ
F TANTALUM ELECTROLYTE
C3 = C4 = 0.01
μ
F CERAMIC CHIP
C5 = C6 = C7 = 1000 pF CERAMIC CHIP
FB = FERRITE BEAD BLO1RN1-A62-001 (MURATA) or equivalent
Z1 = Z2 = Z3 = 50
MICRO STRIP LINE
Pout
DCS
C5
FB
Z1
Z2
Pout
GSM
Z3
FB
FB
C6
C7
C4
C2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08103B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF1010A | MOS FET Power Amplifier Module for P/C LAN |
| PF5000 | 50A 1/2 PRESS-FIT DIODE |
| PF5001 | 50A 1/2 PRESS-FIT DIODE |
| PFC-A1 | GENERAL PURPOSE RELAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08103B | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF08107B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08107BP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08109B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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