參數(shù)資料
型號： PC28F256J3C-125
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 16M X 16 FLASH 2.7V PROM, 125 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁數(shù)： 63/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F256J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
63
0606_09
Figure 22. Block Erase Flowchart
Start
Read
Status Register
SR.7 =
Erase Flash
Block(s) Complete
0
1
Full Status
Check if Desired
Suspend Erase
Issue Single Block Erase
Command 20H, Block
Address
Suspend
Erase Loop
Write Confirm D0H
Block Address
Yes
No
Bus
Operation
Command
Comments
Write
Erase Block
Data = 20H
Addr = Block Address
Data = D0H
Addr = X
Status register data
With the device enabled,
OE# low updates SR
Addr = X
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Write (Note 1)
Erase
Confirm
Read
Standby
1. The Erase Confirm byte must follow Erase Setup.
This device does not support erase queuing. Please see
Application note AP-646 For software erase queuing
compatibility.
Full status check can be done after all erase and write
sequences complete. Write FFH after the last operation to
reset the device to read array mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
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參數(shù)描述
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PC28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
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PC28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3F950 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays
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