參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F256J3C-125
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 16M X 16 FLASH 2.7V PROM, 125 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 28/72頁(yè)
文件大小： 905K
代理商： PC28F256J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
28
Datasheet
Figure 12. Asynchronous Write Waveform
Figure 13. Asynchronous Write to Read Waveform
D
W11
W1
W13
W7
W4
W9
W3
W2
W6
W8
W5
ADDRESS [A]
CEx (WE#) [E (W)]
WE# (CEx) [W (E)]
OE# [G]
DATA [D/Q]
STS[R]
RP# [P]
VPEN [V]
D
W11
W1
W7
W4
W12
W3
W2
W6
W8
W5
Address [A]
CE# [E]
WE# [W]
OE# [G]
Data [D/Q]
RST#/ RP# [P]
VPEN [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F256J3C125 S B93 制造商:Intel 功能描述:
PC28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3F950 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays
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