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參數(shù)資料
| 型號： | PC28F256J3C-125 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 2.7V PROM, 125 ns, PBGA64 |
| 封裝： | LEAD FREE, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 49/72頁 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | PC28F256J3C-125 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
49
13.4
Array Protection
The V
PEN
signal is a hardware mechanism to prohibit array alteration. When the V
PEN
voltage is
below the V
PENLK
voltage, array contents cannot be altered. To ensure a proper erase or program
operation, V
PEN
must be set to a valid voltage level. To determine the status of an erase or program
operation, poll the Status Register and analyze the bits.
6
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
0
7
Factory
1
0
0
0
0
1
0
0
1
8
User
1
0
0
0
0
1
0
1
0
9
User
1
0
0
0
0
1
0
1
1
A
User
1
0
0
0
0
1
1
0
0
B
User
1
0
0
0
0
1
1
0
1
C
User
1
0
0
0
0
1
1
1
0
D
User
1
0
0
0
0
1
1
1
1
E
User
1
0
0
0
1
0
0
0
0
F
User
1
0
0
0
1
0
0
0
1
NOTE:
All address lines not specified in the above table must be 0 when accessing the Protection Register,
i.e.g., A[MAX:9] = 0.
Table 21. Byte-Wide Protection Register Addressing (Sheet 2 of 2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F256J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3A-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PC28F256J3C125 S B93 | 制造商:Intel 功能描述: |
| PC28F256J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3D95A | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PC28F256J3D95B | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PC28F256J3F950 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays |
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