參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F128J3C-150
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁數(shù)： 66/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F128J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
66
Datasheet
Figure 25. Clear Lock-Bit Flowchart
Start
Write 60H
Write D0H
Read Status Register
SR.7 =
Full Status
Check if Desired
Clear Block Lock-Bits
Complete
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Bus
Operation
Write
Write
Standby
Write FFH after the clear lock-bits operation to place device in read
array mode.
Bus
Operation
Standby
SR.5, SR.4, and SR.3 are only cleared by the Clear Status Register
command.
If an error is detected, clear the status register before attempting retry
or other error recovery.
1
0
Command
Clear Block
Lock-Bits Setup
Clear Block or
Lock-Bits Confirm
Comments
Data = 60H
Addr = X
Data = D0H
Addr = X
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Command
Comments
Check SR.3
1 = Programming Voltage Error
Detect
Read Status Register
Data (See Above)
Voltage Range Error
SR.3 =
1
0
Command Sequence
Error
SR.4,5 =
1
0
Clear Block Lock-Bits
Error
SR.5 =
1
0
Read
Status Register Data
Standby
Check SR.4, 5
Both 1 = Command Sequence
Error
Standby
Check SR.5
1 = Clear Block Lock-Bits Error
Clear Block Lock-Bits
Successful
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F128J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory (J3 v. D)
PC28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75D 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75E 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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