參數(shù)資料
型號： PC28F128J3C-150
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁數(shù)： 15/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F128J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
15
4.2
56-Lead TSOP (32/64/128/256 Mbit)
NOTES:
1. A22 exists on 64-, 128- and 256-Mbit densities. On 32-Mbit densities this signal is a no-connect (NC).
2. A23 exists on 128-Mbit densities. On 32- and 64-Mbit densities this signal is a no-connect (NC).
3. A24 exists on 256-Mbit densities. On 32-, 64- and 128-Mbit densities this signal is a no-connect (NC).
4. V
CC
= 5 V ± 10% for the 28F640J5/28F320J5.
4.3
VF BGA Ballout (32 and 64 Mbit)
NOTES:
1. CE# is equivalent to CE0, and CE1 and CE2 are internally grounded.
2. A22 exists on the 64 Mb density only. On the 32-Mbit density, this signal is a no-connect (NC).
3. STS not supported in this package.
4. x8 not supported in this package.
Figure 7. Intel StrataFlash
Memory 56-Lead TSOP (32/64/128/256 Mbit)
Highlights pinout changes
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
56-Lead TSOP
Standard Pinout
14 mm x 20 mm
Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
STS
DQ
15
DQ
7
OE#
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
CCQ
V
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
0
A
A
23
(2)
CE
2
A
21
A
20
A
19
A
18
CE
1
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PEN
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
A
22
(1)
32/64/128M
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
32/64/128M
3 Volt Intel
StrataFlash
Memory
A
24
(3)
28F320J5
NC
WE#
STS
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
CCQ
V
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
(4)
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
0
A
NC
CE
2
28F320J5
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
NC
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
(4)
A
14
A
13
A
12
CE
0
A
15
V
PEN
RP#
28F160S3
A
20
A
19
A
18
CE
1
NC
A
17
A
16
V
CC
A
15
NC
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP#
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
6
A
5
A
4
A
3
A
7
A
2
A
1
28F160S3
OE#
STS
DQ
15
DQ
7
WE#
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
WP#
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
BNC
NC
Figure 8. Intel StrataFlash
Memory VF BGA Ballout (32 and 64 Mbit)
VFBGA6x8
TopVew- Ball Sde Down
2
3
4
5
6
7
8
1
A12
A9
VPEN
VCC
A20
A8
A5
A11
WE#
RP#
A19
A18
A6
A3
A13
A10
A21
A7
A4
A2
D14
D5
D11
D2
D8
CE#
D15
D6
D12
D3
D9
D0
VSS
D7
D13
D4
VCC
D10
D1
OE#
A22
A1
A14
A15
A16
A17
VCCQ
VSS
A
B
C
D
E
F
VFBGA6x8
BottomVew- Ball Sde Up
2
3
4
5
6
7
8
1
A12
A9
VPEN
VCC
A20
A8
A5
A11
WE#
RP#
A19
A18
A6
A3
A13
A10
A21
A7
A4
A2
D14
D5
D11
D2
D8
CE#
D15
D6
D12
D3
D9
D0
VSS
D7
D13
D4
VCC
D10
D1
OE#
A22
A1
A14
A15
A16
A17
VCCQ
VSS
A
B
C
D
E
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
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PC28F128J3D75E 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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