參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F128J3C-150
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁數(shù)： 56/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F128J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
56
Datasheet
Device Geometry Definition
A.7
Primary-Vendor Specific Extended Query Table
Certain flash features and commands are optional. The
Primary Vendor-Specific Extended Query
table specifies this and other similar information.
2Ch
1
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in “bulk”
2. x specifies the number of device or partition regions with one or
more contiguous same-size erase blocks
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2C:
--01
1
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
Table 29. Device Geometry Definition (Sheet 2 of 2)
Offset
Length
Description
Code See Table
Below
Address
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
32 Mbit
--16
--02
--00
--05
--00
--01
--1F
--00
--00
--02
64 Mbit
--17
--02
--00
--05
--00
--01
--3F
--00
--00
--02
128 Mbit
--18
--02
--00
--05
--00
--01
--7F
--00
--00
--02
256Mbit
--19
--02
-00
-05
-00
-01
-FF
--00
--00
--02
Table 30. Primary Vendor-Specific Extended Query (Sheet 1 of 2)
Offset
(1)
P = 31h
(P+0)h
(P+1)h
(P+2)h
(P+3)h
(P+4)h
Length
Description
(Optional Flash Features and Commands)
Primary extended query table
Unique ASCII string “PRI”
Add.
Hex
Code
--50
--52
--49
--31
--31
Value
3
31:
32:
33:
34:
35:
“P”
“R”
“I”
“1”
“1”
1
1
Major version number, ASCII
Minor version number, ASCII
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F128J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory (J3 v. D)
PC28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75D 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75E 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*