參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F128J3C-150
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 35/72頁(yè)
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F128J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
35
9.2
Device Commands
When the V
PEN
voltage
≤
V
PENLK
, only read operations from the Status Register, CFI, identifier
codes, or blocks are enabled. Placing V
PENH
on V
PEN
additionally enables block erase, program,
and lock-bit configuration operations. Device operations are selected by writing specific
commands into the CUI.
Table 14, “Command Bus-Cycle Definitions” on page 35
defines these
commands.
Table 14. Command Bus-Cycle Definitions (Sheet 1 of 2)
Command
Scalable or
Basic
Command
Set
(2)
Bus
Cycles
Req’d.
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Notes
Oper
(3)
Addr
(4)
Data
(5,6)
Oper
(3)
Addr
(4)
Data
(5,6)
Read Array
SCS/BCS
1
Write
X
0xFF
1
Read Identifier Codes
SCS/BCS
≥
2
Write
X
0X90
Read
IA
ID
1,7
Read Query
SCS
≥
2
Write
X
0x98
Read
QA
QD
1
Read Status Register
SCS/BCS
2
Write
X
0x70
Read
X
SRD
1,8
Clear Status Register
SCS/BCS
1
Write
X
0x50
1
Write to Buffer
SCS/BCS
> 2
Write
BA
0xE8
Write
BA
N
1,9, 10,
11
Word/Byte Program
SCS/BCS
2
Write
X
0x40 or
0x10
Write
PA
PD
1,12,13
Block Erase
SCS/BCS
2
Write
BA
0x20
Write
BA
0xD0
1,11,12
Block Erase, Program
Suspend
SCS/BCS
1
Write
X
0xB0
1,12,14
Block Erase, Program
Resume
SCS/BCS
1
Write
X
0xD0
1,12
Configuration
SCS
2
Write
X
0xB8
Write
X
CC
1
Set Block Lock-Bit
SCS
2
Write
X
0x60
Write
BA
0x01
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F256J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F128J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory (J3 v. D)
PC28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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