參數(shù)資料
型號： PBRP113ZT,215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： PBRP113ZT,215
PBRP113ZT_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 January 2008
6 of 12
NXP Semiconductors
PBRP113ZT
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k
, R2 = 10 k
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
Table 7.
Characteristics
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICBO
collector-base cut-off
current
VCB = 30 V;
IE =0A
--
100
nA
ICEO
collector-emitter cut-off
current
VCE = 30 V;
IB =0A
--
0.5
A
IEBO
emitter-base cut-off
current
VEB = 5V;
IC =0A
--
0.8
mA
hFE
DC current gain
VCE = 5V;
IC = 50 mA
190
270
-
VCE = 5V;
IC = 300 mA
[1] 230
320
-
VCE = 5V;
IC = 600 mA
[1] 190
270
-
VCEsat
collector-emitter
saturation voltage
IC = 50 mA;
IB = 2.5 mA
-
35
45
mV
IC = 200 mA;
IB = 10 mA
-
70
100
mV
IC = 500 mA;
IB = 10 mA
200
300
mV
IC = 600 mA;
IB = 6mA
450
750
mV
VI(off)
off-state input voltage
VCE = 5V;
IC = 100 A
0.3
0.5
1V
VI(on)
on-state input voltage
VCE = 0.3 V;
IC = 20 mA
0.4
0.7
1.4
V
R1
bias resistor 1 (input)
0.7
1
1.3
k
R2/R1
bias resistor ratio
9
10
11
Cc
collector capacitance
VCB = 10 V;
IE =ie =0A;
f=1MHz
-11
-
pF
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PDF描述
PBRP123ET,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRP123YT,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRV-16.0HRY-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 16 MHz
PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz
PBRV-20.0HRY-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 20 MHz
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參數(shù)描述
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PBRP123ES,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123ET 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23
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PBRP123ET,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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