參數(shù)資料
型號(hào)： PBRP113ZT,215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 115K
代理商： PBRP113ZT,215
PBRP113ZT_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 January 2008
2 of 12
NXP Semiconductors
PBRP113ZT
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k
, R2 = 10 k
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Marking
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5.
Limiting values
Table 2.
Pinning
Pin
Description
Simplied outline
Symbol
1
input (base)
2
GND (emitter)
3
output (collector)
12
3
sym003
3
2
1
R1
R2
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PBRP113ZT
-
plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
Table 4.
Marking codes
Type number
Marking code[1]
PBRP113ZT
*7M
Table 5.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VCBO
collector-base voltage
open emitter
-
40
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
40
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
-
5V
VI
input voltage
positive
-
+5
V
negative
-
10
V
IO
output current
600
mA
IORM
repetitive peak output current
tp ≤ 1 ms;
δ≤ 0.33
800
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBRP123ET,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRP123YT,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRV-16.0HRY-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 16 MHz
PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz
PBRV-20.0HRY-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 20 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBRP123ES AMO 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123ES,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123ET 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23
PBRP123ET T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123ET,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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