型號: | PBRP113ZT,215 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd |
中文描述: | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封裝: | PLASTIC, SMD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/12頁 |
文件大?。?/td> | 115K |
代理商: | PBRP113ZT,215 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PBRP123ET,215 | PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd |
PBRP123YT,215 | PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd |
PBRV-16.0HRY-TOL1 | CERAMIC RESONATOR, 16 MHz |
PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 | CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz |
PBRV-20.0HRY-TOL2 | CERAMIC RESONATOR, 20 MHz |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PBRP123ES AMO | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PBRP123ES,126 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PBRP123ET | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23 |
PBRP123ET T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PBRP123ET,215 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |