參數(shù)資料
型號： OL2311AHN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 微波射頻器件
英文描述： Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝： OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 67/122頁
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代理商： OL2311AHN
68
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
Features
QUBiC4+
QUBiC4X
QUBiC4X
Release for production
2004
2006
2008
CMOS/Bipolar
CMOS 0.25um, Bipolar 0.4um,
Double poly, Deep trench, Si
CMOS 0.25um, Bipolar LV 0.4um,
Double poly, Deep trench, SiGe:C
CMOS 0.25um, Bipolar LV 0.3um,
Double poly, Deep trench, SiGe:C
LV NPN f
T
/F
max
(GHz)
HV NPN f
T
/F
max
(GHz)
NPN BVce0: HV/LV **
37/90 (Si)
137/180 (SiGe:C)
180/200 (SiGe:C)
28/70 (Si)
60/120 (SiGe:C)
tbd (SiGe:C)
5.9 / 3.8 V
3.2 / 2.0 V
2.5 / 1.4 V
V-PNP f
T
/ BVcb0 (GHz / V)
CMOS Voltage /
Dual Gate
7 / >9
planned
planned
2.5 / 3.3 V
2.5 V
2.5 V
Noise figure NPN (dB)
2 GHz: 1.1
10 GHz: 0.8
10 GHz: 0.5
RFCMOS f
T
(GHz)
Isolation (60 dB @ 10 GHz)
NMOS 58, PMOS 19
NMOS 58, PMOS 19
NMOS 58, PMOS 19
STI and DTI
STI and DTI
STI and DTI
Interconnection
(AlCu with CMP W Plugs)
5 LM, 3 μm top Metal
5 LM, 3 μm top Metal
2 μm M4
5 LM, 3 μm top Metal
Capacitors
NW, DN, Poly-Poly
5fF/um2 MIM
NW, DN, Poly-Poly
5fF/um2 MIM
NW, DN, Poly-Poly
5fF/um2 MIM
Resistors (/sq)
Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57),
High Precision SiCr (270)
Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57),
High Precision SiCr (270)
Poly (64/220/330/2K), Active (12, 57),
High Precision SiCr (270)
Varicaps (single-ended &
differential)
2x single ended, Q > 40
3x differential, Q 30-50
2x single ended, Q > 40
3x differential, Q 30-50
2x single ended, Q > 40
3x differential, Q 30-50
Inductors (1.5nH @ 2 GHz)
- scalable
Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation,
High R substrate
Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation,
High R substrate
Q > 21, Thick Metal, Deep trench isolation,
High R substrate
Other devices
LPNP, Isolated NMOS
Isolated-NMOS tbd
LPNP, Isolated-NMOS tbd
Mask count
31 / 32 (MIM) / 33 (DG)
35 (MIM)
35 (MIM)
QUBiC4+
BiCMOS
f /f
max
= 37/90 GHz
+DG
+TFR
+VPNP
+HVNPN
-4ML
SiGe:C
f / f
max
= 137/180 GHz
QUBiC4X
SiGe:C
f
T
/
f
max
= 180/200 GHz
QUBiC4Xi
QUBiC4+
`
基線，
0.25μm CMOS
、單層多晶、
5
層金屬
`
數(shù)字門密度
26k gates/mm2
`
fT/fMAX= 37/90 GHz
`
+TFR –
薄型薄膜電阻
`
+DG –
雙柵氧化
MOS
`
+HVNPN –
高電壓
NPN
`
+VPNP –
縱向
PNP
（高
Vearly
）
`
-4ML –
高密度
5fF/μm2 MIM
電容
`
范圍廣泛的有源和高品質(zhì)無源設(shè)備組件
`
優(yōu)化至高達(dá)
5 GHz
的應(yīng)用
QUBiC4X
`
SiGe:C
工藝
`
fT/fMAX = 137/180 GHz
`
優(yōu)化至高達(dá)
30 GHz
的應(yīng)用
`
變壓器
QUBiC4Xi
`
SiGe:C
工藝
`
提高了
fT/fmax
，最大
180/200 GHz
`
優(yōu)化適用于高于
30 GHz
超低噪聲微波應(yīng)用
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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OL2381AHN/C0B,515 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray
OL2381AHN/C0B515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
OL2385AHN/00100Y 功能描述:RF WIRELESS PLATFORM UHF 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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