參數(shù)資料
型號(hào)： OL2311AHN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 微波射頻器件
英文描述： Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝： OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 66/122頁(yè)
文件大小： 4034K
代理商： OL2311AHN
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67
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
重
2.6.2
尋找
SiGe:C
的引領(lǐng)者？您已經(jīng)找到我們！
恩智浦
QUBiC4
工藝技術(shù)
恩智浦創(chuàng)新的高性能
SiGe:C QUBiC4
工藝使得客戶能夠?qū)⒏嗟墓δ苋谌朐O(shè)備中，并使用更少空間、帶來(lái)有競(jìng)爭(zhēng)力
的成本、卓越的可靠性和顯著的生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)。通過使用最好的低噪聲性能、線性度、功耗、抗帶外信號(hào)干擾、雜散性能和
輸出功率而實(shí)現(xiàn)的領(lǐng)先產(chǎn)品，我們最先進(jìn)的
QUBiC4
技術(shù)和大量的
IP
可用性加速了產(chǎn)品從
GaAs
元件向硅元件的過
渡。自
2002
年以來(lái)，恩智浦
QUBiC
已是一個(gè)適用于批量生產(chǎn)并不斷進(jìn)行性能更新的成熟工藝。恩智浦兩個(gè)
8
英寸晶
圓廠提供了可滿足汽車級(jí)產(chǎn)品要求的
QUBiC4
工藝，它可提供靈活、低成本生產(chǎn)和高產(chǎn)出以及非常低的業(yè)界
ppm
。
QUBiC4
分三類，每一類在特定應(yīng)用領(lǐng)域都有著它的顯著優(yōu)勢(shì)：
QUBiC4+
QUBiC4+ BiCMOS
工藝為
0.25 μm CMOS
，采用
5
層金屬層，用
于集成密集數(shù)字邏輯智能功能，帶有一整套有源和無(wú)源設(shè)備組件，適
用于高頻混合信號(hào)應(yīng)用設(shè)計(jì)，其中包含可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)電感性能的厚金
屬頂層。此工藝設(shè)備套件包含
3.8 V
擊穿電壓
(BVce0)
和低噪聲系
數(shù) (在
2 GHz
時(shí)
NF<1.1
) 的
37 GHz fT NPN
、
7GHz
的
fT VPNP
、
帶
5.9 V
擊穿電壓的
28 GHz
高電壓
NPN
、
Q-factor>30
的差分或
單端可變電容、
Q-factor>20
的可定標(biāo)電感器、
800 MHz FT
橫向
PNP
、
0.25 μm CMOS
、
137
、
220 & 12
到
2000 ohm/sq.
的多晶和
有源電阻、一個(gè)
270 ohm/sq. SiCr
薄膜電阻、一個(gè)
5.7 fF/μm2
氧
化電容和一個(gè)
5 fF/μm2 MIM
電容、
1
到
6 fF/μm2
氧化電容和其他
不同的設(shè)備，還包括
L-PNP
、隔離
NMOS
、
3.3 V
的
CMOS
和
RF-
CMOS
晶體管電容。
QUBiC4+
工藝基于硅元素，適用于最大
5GHz
(
fT = 37GHz
，
1.2 GHz
時(shí)
NF<1.1 dB
) 的應(yīng)用，以及最大
33 dBm
的中等功率放大器。
QUBiC4X
QUBiC4X BiCMOS
工藝是一個(gè)基于
SiGe:C
的
QUBiC
工藝延伸，用
于高頻率混合信號(hào)設(shè)計(jì)，它可提供用于
QUBiC
高頻率混合信號(hào)設(shè)計(jì)
的整套設(shè)備，其中包括一個(gè)帶
2.5 V
擊穿電壓和非常低的噪聲數(shù)值
(在
10 GHz
時(shí)
NF < 1.0
) 的
140 GHz FT NPN
、
0.25 μm CMOS
、多
種電阻、一個(gè)
5.7 fF/μm2
氧化電容和一個(gè)
5 fF/μm2MIM
電容。
QUBiC4X
適用于操作頻率最大為
30 GHz
的應(yīng)用 (在
10 GHz
時(shí)，
fT
= 137 GHz
，
NF<0.8 dB
) 和超低噪聲應(yīng)用，例如
LNA
和混頻器。
QUBiC4Xi
QUBiC4Xi BiCMOS
工藝進(jìn)一步提升了
QUBiC4X
工藝，同時(shí)具
有其他特點(diǎn)
—
一套適用于高頻率混合信號(hào)設(shè)計(jì)的組件；包括一個(gè)
擁有
1.4 V
擊穿電壓和超低噪聲數(shù)值 (在
10 GHz
時(shí)
NF<0.7
) 的
180GHz FT NPN
、
0.25 μm CMOS
、多個(gè)電阻、一個(gè)
5.7 fF/μm2
氧
化電容和
5 fF/μm2MI
電容。
QUBiC4Xi
代表最新型的
SiGe:C
工
藝，提高了
fT
(
>200 GHz
)，帶來(lái)了更低的噪聲指數(shù) (在
10 GHz
時(shí)
NF<0.5 7 dB
)。它適用于超過
30 GHz
的應(yīng)用，例如
LO
發(fā)生器。
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
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參數(shù)描述
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OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲(chǔ)容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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