參數(shù)資料
型號: OL2311AHN
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 微波射頻器件
英文描述: Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝: OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
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代理商: OL2311AHN
61
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
主要特點和優(yōu)勢
`
40/110 GHz
轉換頻率適用于高達
18 GHz
及以上的應用
`
12 GHz
1.45 dB
低噪聲系數(shù)和
13.5 dB
高增益,
1.8 GHz
34dBm
高線性度
(OIP3)
,適用于各種應用
`
12 GHz
下僅消耗
3 mA
即可產(chǎn)生
13.5 dB
增益,
`
塑料表面貼裝
SOT343F
封裝,性能高,易于制造
主要應用
`
用于
DBS LNB
的第
2
代和第
3
LNA
級和混頻器級
`
Ka/Ku
波段
DRO
`
衛(wèi)星廣播
(SDARS) LNA
`
C
波段
/X
波段高輸出緩沖放大器
`
AMR
`
WLAN/WiFi
`
ZigBee
`
藍牙
`
FM
收音機
`
GPS
`
LTE
、移動、
UMTS
`
移動
TV
`
RKE
`
高線性度應用
`
低電流、配備電池的系統(tǒng)
`
用于微波通信系統(tǒng)的低噪聲放大器
`
中等輸出功率應用
`
微波驅動器
緩沖應用
2.5.3
適用于任何
RF
功能的
QUBiC4 Si
SiGe:C
晶體管
恩智浦第
6
(Si)
和第
7
(SiGe:C) RF
晶體管提供最佳的
RF
噪聲系數(shù)、
12 GHz
下的增益功能和最低的電流。
這種性能可在低功率下實現(xiàn)更好的信號接收,使
RF
接收器在噪聲環(huán)境下更好地工作。恩智浦第
6
(Si)
和第
7
(SiGe:C) RF
晶體管可作為低噪聲放大器 (
BFUx10F。BFUx30F
BFU725/N1
)、高線性度和高輸出放大器
(
BFUx60F
BFUx90F
)、緩沖放大器
。
混頻器和振蕩器用于大多數(shù)
RF
應用中。
演示板和應用注釋
`
使用
BFU730F
的單級
Ku
波段
LNA
`
使用
BFU730F
的單級
2.3-2.7 GHz LNA
`
使用
BFU730F
的單級
5-6 GHz WLAN LNA
`
使用
BFU730F
1
SDARS LNA
`
使用
BFU730F
2
SDARS LNA
有關第
6
代和第
7
RF
寬帶晶體管的完整產(chǎn)品組合概述,
請參閱章節(jié)
3.3.1
相關PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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