- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385657 > OL2311AHN (NXP Semiconductors N.V.) Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | OL2311AHN |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 微波射頻器件 |
| 英文描述： | Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver |
| 封裝： | OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 58/122頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 4034K |
| 代理商： | OL2311AHN |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)當(dāng)前第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)
59
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
重
RF
輻射并非醫(yī)療領(lǐng)域的新技術(shù)。此技術(shù)目前用于
MRI
(磁共振
成像) 和
EPRI
(電子順磁共振波譜成像) 成像中，這些技術(shù)使
用的頻率約為
500 MHz
。另外，讓皮膚恢復(fù)活力或緩解肌肉疼
痛的知名外部熱處理使用的頻率在
480 kHz
左右
—
對(duì)于
RF
來(lái)
說(shuō)要求不算苛刻。切除同時(shí)凝結(jié)血管的手術(shù)設(shè)備使用的
RF
頻率
約為
5 MHz
。后一種技術(shù)屬于快速增長(zhǎng)的治療技術(shù)，這種技術(shù)
使用
RF
輻射，在身體局部?jī)?chǔ)蓄能量
—
通常為“熔化” (移除)
不需要的組織。在身體內(nèi)部，
RF
能量能加熱周邊組織，直至其
變干和/或壞死。損壞的組織隨后被周?chē)幕罱M織吸收。
RF
切
除的其他應(yīng)用例子包括肺部、腎臟、胸部、骨和肝臟的癌癥治
療，移除曲張血管，治療心率不齊，這些應(yīng)用能從
RF
的高控制
性和反饋中受益。
RF
的另外一個(gè)優(yōu)勢(shì)是能通過(guò)小導(dǎo)管頭天線將
RF
信號(hào)輸送到所
需地方。和舊式直流技術(shù)不同的是，只有天線周?chē)慕M織被加
熱。鄰近的神經(jīng) (和心臟) 不會(huì)受到干擾。此技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成
各種專用導(dǎo)管，在微創(chuàng)手術(shù)中使用，同時(shí)配合超聲波或
X
光成
像，以確定
RF
有源部分的精確位置。在治療過(guò)程中，周?chē)M織
的阻抗可以得到監(jiān)控，并確定終點(diǎn)。通過(guò)合適的導(dǎo)管，醫(yī)生還
能實(shí)現(xiàn)“自動(dòng)限制”功能，減少干燥組織吸收的
RF
能量。與此
類似，
RF
頻率可用于調(diào)整導(dǎo)管的能量分布區(qū)域：含水組織中頻
率越高，穿透深度越小
— RF
能量就越小。
隨著
RF
頻率和功率變得越來(lái)越高，
RF
發(fā)生器的復(fù)雜程度和
設(shè)備技術(shù)要求也變得更嚴(yán)格。例如
10 MHz
以上高達(dá)
3.8 GHz
可選的功率放大器為
Si LDMOS
(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)
2.5
工業(yè)、科學(xué)與醫(yī)學(xué)
(ISM)
2.5.1
由
RF
功率驅(qū)動(dòng)的醫(yī)療應(yīng)用：從成像到癌癥治療，靈活和多樣化的技術(shù)供醫(yī)生使用
體)。這種技術(shù)在基站、雷達(dá)系統(tǒng)、廣播發(fā)射器和其他工業(yè)、
科學(xué)和醫(yī)學(xué)
(ISM)
應(yīng)用中已經(jīng)證明了其強(qiáng)大、高效和耐用的特
性。
LDMOS
最高電壓可達(dá)
50 V
，單個(gè)設(shè)備功率高達(dá)
1,200
W
，擁有超強(qiáng)的耐用性、高增益和高效率。為了驅(qū)動(dòng)和控制
LD-
MOS
功率放大器的級(jí)別，我們?cè)谠O(shè)備中使用電壓控制振蕩器、
鎖相環(huán)和中等功率放大器。這些
RF
信號(hào)產(chǎn)品鏈的組成部分方便
獲取，以可靠、大批量
SiGe:C (QUBiC)
半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)。更
進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)人員可以使用高速轉(zhuǎn)換器來(lái)控制數(shù)字域的所
有信號(hào)鏈，實(shí)現(xiàn)完全和更便捷的實(shí)用
RF
外形和模組控制。
RF
應(yīng)用
這些現(xiàn)場(chǎng)醫(yī)療應(yīng)用和大多數(shù)
ISM
應(yīng)用，通常在使用循環(huán)中形成
高度不相配
RF
負(fù)載。這種情況反過(guò)來(lái)說(shuō)，如果沒(méi)有防護(hù)或其
他措施，所有
“
注入式
”RF
功率會(huì)反射回放大器的最后一級(jí)，
需要在晶體管中散逸掉，如果持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)的話很可能會(huì)損壞設(shè)
備。
LDMOS
晶體管設(shè)計(jì)非常堅(jiān)固，能經(jīng)受住這些不匹配情況，
不會(huì)老化。
在不匹配或極短脈沖上升或下降的環(huán)境中，設(shè)備的耐用性，或
設(shè)備抵抗“惡劣”
RF
環(huán)境的能力對(duì)確?？煽康脑O(shè)備性能必不可
少。
RF
功率產(chǎn)品能長(zhǎng)時(shí)間使用，擁有最佳的耐用性。這些技術(shù)
在開(kāi)發(fā)階段已經(jīng)過(guò)最嚴(yán)苛的耐用性測(cè)試，尤其是
50V
技術(shù)。寄
生雙極基級(jí)電阻和
LDMOS
設(shè)備的漏級(jí)延伸在其中扮演著重要
角色。這種耐用性和功率密度及高效率使得
LDMOS
成為
RF
功
率放大器 (頻率高達(dá)
3.8 GHz
) 的首選技術(shù)。
RF
技術(shù)正在進(jìn)入越來(lái)越多的醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域，從眾所周知的低頻成像技術(shù) (
MRI
、
EPRI
)、外部熱處
理、電外科工具到微創(chuàng)內(nèi)窺鏡癌癥治療 (
RF
切除)。一個(gè)明顯的趨勢(shì)是
RF
切除技術(shù)發(fā)揮的作用不
斷增加。另外一個(gè)趨勢(shì)是使用更高的
RF
頻率 (幾
GHz
) 和更高功率
(> 100 W)
的工具，從而實(shí)
現(xiàn)更好的三維清晰度、更好的控制和更短的治療時(shí)間。
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OL2381AHN | Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver |
| OL3216TC-DPG | CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS |
| OLDA23TZ-WPG | REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS |
| OLDPM8T1-L1G | MOLDING TYPE SMD LED LAMPS |
| OLS133TR-DPG | SURFACE MOUNT LED LAMPS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OL2311AHN/C0B,515 | 功能描述:射頻接收器 Single-chip sub 1GHz RF receiver RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:GPS Receiver 封裝 / 箱體:QFN-24 工作頻率:4.092 MHz 工作電源電壓:3.3 V 封裝:Reel |
| OL2381AHN/C0B,515 | 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray |
| OL2381AHN/C0B515 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| OL2385AHN/00100Y | 功能描述:RF WIRELESS PLATFORM UHF 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲(chǔ)容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| OL2385AHN/001A0Y | 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲(chǔ)容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。