參數(shù)資料
型號： NZT751
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:18; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
中文描述： Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： NZT751
N
DC Typical Characteristics
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P
P
0.1
1
10
0.5
1
1.5
2
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
β
= 10
- 40 oC
25 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 5P
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
V = 5V
- 40 oC
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE (o
75
100
125
150
0.1
1
10
100
500
I
V = 50V
C
PNP Current Driver Transistor
(continued)
AC Typical Characteristics
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
P
D
SOT-223
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT753 PNP Current Driver Transistor
NZT902 NPN Low Saturation Transistor
OAA160ES
LBA110LES
LBA120E
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NZT751_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Current Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753_NL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT902 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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