參數(shù)資料
型號(hào)： NZT751
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:18; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
中文描述： Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： NZT751
N
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 50 mA, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 500 mA, V
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 2.0 A, I
B
= 200 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
75
75
75
40
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3
0.5
1.2
1.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
V
BE(
on
)
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
DC Typical Characteristics
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
60
80
5.0
V
V
V
nA
μ
A
100
0.1
I
C
= 50 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
75
MHz
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P P
0.1
1
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
- 40 oC
25 °C
β
= 10
125 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
25 °C
V = 5V
125 °C
- 40 °C
PNP Current Driver Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZT753 PNP Current Driver Transistor
NZT902 NPN Low Saturation Transistor
OAA160ES
LBA110LES
LBA120E
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NZT751_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Current Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753_NL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT753_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NZT902 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*