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參數(shù)資料
| 型號： | NZT7053 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Darlington Transistor(NPN達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | NZT7053 |
2
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
CES
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 1.0 mA, I
C
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
CE
= 80 V, I
E
= 0
V
EB
= 7.0 V, I
C
= 0
100
100
12
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
0.1
0.2
0.1
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA, V
BE
= 5.0 V
10,000
1,000
20,000
1.5
2.0
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
F
T
Transition Frequency
C
cb
Collector-Base Capacitance
*
Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s, Duty Cycle
￡
1.0%
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V,
V
CB
= 10 V,f = 1.0 MHz
2N7052
200
MHz
pF
2N7053
10
8.0
NPN Darlington Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
125 °C
25 °C
- 40°C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 06
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
β
= 1000
125 °C
25 °C
- 40°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZT749 | PNP Current Driver Transistor |
| NZT751 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT00; No. of Contacts:18; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle |
| NZT753 | PNP Current Driver Transistor |
| NZT902 | NPN Low Saturation Transistor |
| OAA160ES | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NZT7053 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor |
| NZT7053_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| NZT749 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Current Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT749_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Current Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| NZT751 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Current Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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