參數(shù)資料
型號： NZT6729
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 107K
代理商： NZT6729
T
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 1.0 mA, I
C
= 0
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
80
80
5.0
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
10
I
C
= 50 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 250 mA, I
B
= 25 mA
I
C
= 250 mA, V
CE
= 1.0 V
80
50
20
250
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5
0.35
1.2
V
V
V
V
BE(
on
)
Base-Emitter On Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
h
fe
Small-Signal Current Gain
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
Typical Characteristics
I
= 200 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 20 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
2.5
25
C
cb
Collector-Base Capacitance
30
pF
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P 9
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
1
0
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
V = 1.0 V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 79
10
100
1000
0.01
C
0.1
1
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
25 °C
- 40 oC
125 oC
β
= 10
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PDF描述
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參數(shù)描述
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